氮化鋁鎵銦藍紫光雷射二極體研製與特性分析

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姓名

陳冠廷(Guan-Tin Chen ) 查詢紙本館藏

畢業系所

電機工程研究所

論文名稱

氮化鋁鎵銦藍紫光雷射二極體研製與特性分析

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摘要(中)

本研究使用氮化鋁鎵銦系列材料製作藍紫光雷射二極體，論文內容著重在雷射二極體的研製與特性分析，目的是論述雷射二極體的兩個關鍵，一個為雷射鏡面的優劣﹔另外為p型歐姆接觸電阻值的影響。其共分為三個主要部分:(1) 雷射二極體結構與製程 : 以標準黃光微影製程製作雷射二極體，再用機械研磨製程磨薄基板後崩裂出雷射鏡面，最後用原子力顯微鏡及掃描式電子式顯微鏡檢驗雷射鏡面品質，並分析鏡面特性﹔(2) 光激發光譜 : 用雷射光激發具有鏡面的試片，觀察其雷射現象，由光譜結果檢驗雷射鏡面的優劣性以及雷射結構的品質﹔(3) 雷射二極體特性分析 : 量測雷射二極體的電流電壓特性，分析出雷射二極體主要問題，並以電激發光譜的結果顯示雷射二極體的困難性。

關鍵字(中)

★ 氮化鎵
★ 雷射二極體

關鍵字(英)

論文目次

目錄
第一章序論…………………………………………1
第二章雷射二極體結構與製程…………………4
§2.1雷射二極體結構………………………4
2.1.1調變摻雜超晶格結構披覆層.…………4
2.1.2氮化鋁鎵緩衝層………………………5
§2.2雷射二極體製程………………………5
§2.3雷射鏡面製作與特性分析…………15
2.3.1雷射鏡面的影響……………………15
2.3.2雷射鏡面的製作方式………………16
2.3.3雷射鏡面特性分析…………………17
第三章不同雷射鏡面光激發光譜……………26
§3.1光激發光譜特性……………………26
§3.2不同雷射鏡面光激發光譜分析……28
第四章雷射特性量測與分析…………………34
§4.1電流電壓特性曲線分析……………34
§4.2 電激發光譜特性分析………………36
第五章結論………………………………………42
參考文獻…………………………………44

參考文獻

[1] S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Yasunobu Sugimoto, Hiroyuki Kiyoku, Masahiko Sano, H. Matsumura, Hitoshi Umemoto, Kazuyuki Chocho and Takashi Mukai, “ High-Power and Long-Lifetime InGaN Multi-Quantum-Well Laser Diodes Grown on Low Dislocation Density GaN Substrate ” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 39 (2000) pp. L647-L650.
[2]K. Linthicum, T. Gehrke, D. Thomson, E. Carison, P. Rajagopal, T. Smith, D. Batchelor and R. Davis, “Pendoepitaxy of gallium nitride thin films” Appl. Phys. Lett. , Vol.75, pp.196-198.
[3]P. Fini, L. Zhao, B. Moran, M. Hansen, H. Marchand and J. P. Ibbstson S. P. DenBaars, U. K. Mishra, J. S. Speck “High-quality coalescence of laterally overgrown GaN stripes on GaN / sapphire seed layers” Appl. Phys. Lett. , Vol.75, pp.1706-1708.
[4]P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars and U. K. Mishra “Enhanced Mg doping efficiency in Al0.2Ga0.8N/GaN superlattices” Appl. Phys. Lett. , Vol.74, pp.3681-3683.
[5]K. KUMAKURA and N. KOBAYASHI “Increased Electrical Activity of Mg-Acceptors in AlxGa1-xN/GaN superlattices” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 38 (1999), pp. L1012-1014.
[6]G. HATAKOSHI, M. ONOMURA, S. SAITO, K. SASANUMA and K. ITAYA, “Analysis of Device Characteristics for InGaN Semiconductor Lasers” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 38 (1999) pp. L1780-L1785.
[7] 史光國 “InGaN藍光雷射之特性與爭論(上)” 工業材料156期 pp. 167-169.
[8]M. Kneissl, D. P. Bour, N. M. Johnson, L. T. Romano, B. S. Krusor, R. Donaldson, J. Walker, and C. Dunnrowicz “Characterization of AlGaInN diode lasers with mirrors from chemically assisted ion beam etching” Appl. Phys. Lett. , Vol.72, Num 13, pp.1539-1541.
[9]S. Nakamura, G. Fasol “The Blue Laser Diode” pp.225-228
[10] A. Kuramata, K. Horino, K. Domen, “GaN-based Blue Laser Diodes Grown on SiC Substrate as Light Source of High-density Optical Data Storage” FUJITSU Sci. Tech. J.,34,2, pp. 191-203(Dec 1998).
[11]H. Morkoc, “Nitride Semiconductors and Devices” pp.44.
[12]D. A. Stocker, E. F. Schubert andGrieshaber, K. S. Boutros and J. M. Redwing “Facet roughness analysis for InGaN/GaN lasers with cleaved facets” Appl. Phys. Lett. , Vol.73, Num.14, pp.1925-1926.
[13]H. Morkoc, “Nitride Semiconductors and Devices” pp.289.

指導教授

綦振瀛(Jen-Inn Chyi)

審核日期

2001-7-15

推文